2018年8月30日
電気自動車のモーター駆動省エネ化に貢献する高耐久性構造SiCパワー半導体"TED-MOS"を開発
イメージ図
日立は、電気自動車(EV)の省エネ化に貢献する新構造のパワー半導体として、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)を用いた日立独自のデバイス"TED-MOS"を新たに開発しました。
今回開発したパワー半導体は、パワー半導体の一種であるSiCトランジスタの一般的な構造DMOS-FETを基本構造として、ひれ状の溝を形成した新構造のデバイスです。今回、耐久性の指標である電界強度を従来のDMOS-FET比で40％低減するとともに抵抗を25％低減し、エネルギー損失を50％低減できることを確認しました。
今後、日立は、EVの心臓部であるモーター駆動用インバーターの省エネ化に貢献する技術として実用化をめざすと同時に、EV向けだけでなく、社会インフラシステムのさまざまな電力変換器に適用することで、地球温暖化防止や低炭素社会の実現に貢献します。
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