2017年9月14日
高温や放射線に強い炭化ケイ素(SiC)を用いたCMOS集積回路技術を開発
SiC-CMOS製集積回路(オペアンプ)試作品の外観
日立は、高温および放射線耐性に優れた炭化ケイ素(SiC)を用いたCMOS(SiC-CMOS)集積回路技術を開発しました。本技術により、自動車・産業機器を始め、原子力発電や航空宇宙といった産業において、過酷環境下におけるセンシングデータの高精度な信号処理が可能となります。
今後、日立は高温や高放射線場などの過酷環境に対応したエッジコンピューティングシステムを構築し、社会インフラシステムの高信頼化に貢献していきます。
