SiC・GaNなどの低損失パワー半導体を用いた両面冷却パワーモジュールの実装技術を開発

日立製作所 研究開発グループは以下のニュースリリースを発行しました。

発行日

2014年6月26日

タイトル

SiC・GaNなどの低損失パワー半導体を用いた両面冷却パワーモジュールの実装技術を開発

リリース文抜粋

株式会社日立製作所は、このたび、インフラ市場用電源システムや、電気・ハイブリッド自動車のインバーターシステムに向けて、高速に動作し低損失なパワー半導体を多数並列接続し、大容量化が可能な両面冷却パワーモジュールの実装技術を開発しました。

本技術をもとに、スイッチング素子16個×2とダイオード素子4個×2の計40個のパワー半導体を並列接続可能な両面冷却パワーモジュールを作成した結果、従来の片面冷却のパワーモジュールと比べ電力容量を200％まで拡大できました。

今後も日立は、一般産業用機器などで用いられる電力変換システムや、電気・ハイブリッド自動車向けインバータの低損失・小型化に向け、直接水冷型両面冷却パワーモジュールなどのキーテクノロジーを活用することで性能向上に貢献する革新的な技術を開発していきます。

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