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Multi Level Cell
フラッシュメモリに使用される記憶素子の種類の一つ。一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記録する。電圧のレベルを「Hi/Low」だけでなく、いくつかの中間値を設定して判断するため、ノイズなどの影響を受けやすい。このため、自動的に正しいデータに修正する、エラー訂正機能が必要となる。しかし、一つのメモリセルに、SLC（Single Level Cell）の2倍以上の情報量を記録できるため、低価格でメモリの大容量化を実現できる。
