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2013年5月14日
最高動作温度150℃で損失を20%低減
株式会社日立製作所(執行役社長 : 中西 宏明/以下、日立)は、このたび、従来の約3分の2のサイズに小型化した1,500V架線用の鉄道車両用3.3kV(キロボルト)/1,200A(アンペア)パワーモジュールの開発に成功しました。開発したパワーモジュールには、現在主流のSi(Silicon : シリコン)を用いており、主として架線から供給される直流電圧をモーター駆用の交流電圧に変換するインバーターに搭載されるものです。今回開発した技術は、パワーモジュールの小型化、および小型化により発生する温度上昇を防ぎ、鉄道車両用インバーターへの実装を可能とします。これにより、鉄道車両用インバーターの小型化や軽量化、省エネ化に貢献します。
鉄道は、環境負荷の少ない輸送システムとして、近年世界的に需要が高まっていますが、さらなる高効率化に向けて、車両やインバーターの軽量化に向けた開発が進められています。日立は、1992年に世界で初めてSi-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールを適用した鉄道車両用インバーターの実用化に成功して以来、IGBTモジュールの低損失化と高信頼化の技術開発に取り組んできました。Si-IGBTモジュールには、750V架線用の1.7kVと1,500V用の3.3kVの2種類のモジュールがありますが、より高電圧での動作が必要な3.3kVのモジュールには、一般的に140mm×190mm規格が採用されており、インバーターの軽量化に向けて小型化が望まれていました。そこで今回日立は、3.3kVモジュールを従来比約3分の2へ小型化を実現すると共に、小型化により発生する温度上昇に対応し、インバーターへの実装を実現するための技術を開発しました。
開発した技術の特長は以下の通りです。
日立は、今後も環境性能に優れた技術を開発し、低炭素社会の構築、地球環境の保全に貢献していきます。本技術は、5月14日にドイツで開催される「PCIM Europe 2013」および5月27日に日本で開催される「ISPSD 2013」で発表予定です。
株式会社日立製作所 日立研究所 企画室 [担当 : 滝澤]
〒319-1292 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号
電話 : 0294-52-7508(直通)
以上