日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 石橋 正)は、このたび、ワークステーションやサー
バのメインメモリ用として、256MビットシンクロナスDRAM(以下SDRAM)「HM 5225405BTTシリーズ(×4
ビット構成)」「HM 5225805BTTシリーズ(×8ビット構成)」「HM5225165BTTシリーズ(×16ビット構成)」
を製品化し、平成11年8月からサンプル出荷を開始します。本製品は、133MHzメモリバス(PC133)に対応
するとともに、当社の64Mビット品を4個使用した場合と比較し、消費電力を約55%低減できます。
  また、本SDRAMを搭載したPC133対応モジュールとして、1Gバイト168ピン DIMM(Dual In-Line Memory
Module)「HB52RF1289E2シリーズ(×72ビット構成、レジスタ付き)」と512Mバイト168ピンDIMM
「HB52F649E1シリーズ(×72ビット構成、レジスタ付き)」も製品化し、平成11年9月からサンプル出荷
を開始します。
          
  近年、ワークステーション、サーバなどのシステムの大容量化、高性能化に伴ない、搭載されるメ
モリに対しても、大容量化および高速化が求められています。
  これらのニーズに対応し、PC133対応の256MビットSDRAMと、同チップを搭載した1Gバイトおよび512M
バイトのDIMMを製品化しました。
          
  今回製品化した256MビットSDRAMは、0.18μmの微細加工技術と先端メモリセル技術を導入すること
で、高速化を実現しました。また、バースト動作時の動作電流(Icc4)は、当社のPC133対応64Mビット
SDRAM4個分の280mAから130mAへと約55%低減しており、システムでの同一記憶容量当たりの消費電力
を大幅に低減することが可能です。パッケージは、64MビットSDRAMと同一外形の54ピン、400ミルTSOP-
IIパッケージです。
          
  さらに、PC133に対応する168ピンDIMMとして、今回の256MビットSDRAMを搭載した1Gバイト品と512M
バイト品を製品化しました。1Gバイト品は、TCPを2段に積み重ねて実装する当社のTCP積層実装技術
により、大容量化を実現しています。ワークステーションやサーバ等に適した ECC(注)対応の128Mワ
ード×72ビット(2バンク)構成で、プリント回路基板に×4ビット構成のSDRAM「HM5225405BTB(TCP)」を
36個実装しています。
  また、512Mバイト品は、ECC対応の64Mワード×72ビット(1バンク)構成で、プリント回路基板に×4
ビット構成のSDRAM「HM5225405BTT(TSOP)」を18個実装しています。
          
注)ECC(Error Checking and Correction)：メモリ内のデータエラー発生の有無をチェックする
と同時にエラーを補正する機能。
          
  ■応用製品
    ワークステーションやサーバのメインメモリなど(PC133対応)
          
  ■価  格
    1)256MビットシンクロナスDRAM
         製 品 名                   構    成           サンプル価格(円)
       HM5225405BTT-75     16Mワード× 4ビット×4バンク        24,000
       HM5225805BTT-75      8Mワード× 8ビット×4バンク        24,000
       HM5225165BTT-75      4Mワード×16ビット×4バンク        24,000
          
    2)1Gバイト/512MバイトDIMM
          製 品 名                  構   成            サンプル価格(円)
       HB52RF1289E2-75B        128Mワード×72ビット         1,000,000
       HB52F649E1-75B           64Mワード×72ビット           440,000
          
 
 ■仕様
  １）256MビットシンクロナスDRAM

項 目	HM5225405BTT-75	HM5225805BTT-75	HM5225165BTT-75
メモリ構成	16Mワード×4ビット×4バンク	8Mワード×8ビット×4バンク	4Mワード×16ビット×4バンク
外部電源電圧	3.3V +/- 0.3V
高速モード	バーストデータ転送(バースト長：2/4/8)
メモリバス周波数	133MHz
アクセス時間 tAC	5.4ns(CL=3)
プロセス	0.18m CMOSプロセス
パッケージ	54ピン400mil TSOP-II

  ２）1Gバイト/512MバイトDIMM

          
                                                              以  上