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News Release

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平成11年2月23日

業界で初めてTEM試料作製前処理装置
「マイクロサンプリング装置」を製品化

−イオンビームを用いての微小領域、
TEM試料の抽出を実現し、
試料作製時間を約3割短縮−

  日立製作所は、この度、当社の集束イオンビーム加工観察装置(以下、FIB: Focused Ion Beam)
「FB−2000A」に組み込み可能なFIB加工用のTEM試料作製前処理装置「マイクロサンプリ
ング装置」を業界で初めて開発、製品化しました。
  本装置は、イオンビームを用いて、微小領域を直接取り出すことが可能なため、試料作製の精度を向
上させるとともに、作製時間も約3割短縮することができ、微細構造をもった先端デバイスの解析の効
率化に大きく寄与します。

  近年、半導体デバイスや磁気記録デバイスの製造プロセスは、ますます微細化が進展しており、こう
したデバイスや薄膜の欠陥解析および製造プロセスのコントロールのために、デバイスの微細構造高倍
率観察や微小部高感度分析に透過電子顕微鏡(以下、TEM:Transmission Electron Microscope)が
必要不可欠になっています。しかしながら、TEMで分析するためには、試料の厚さを0.1μm程度に
する必要があり、FIBを用いたTEM試料作製前処理法が注目されています。
  しかしながら、FIBでは、サブミクロン単位での加工ができる反面、大きな領域を加工することは、
実用上不可能であり、FIBの前処理としてダイシングと呼ばれる切削加工などが必要となります。化
合物半導体やGMR(giant magnetoresistive)ヘッドの薄膜の積層強度が非常に弱いため、機械加工に
よって、薄膜が剥離してしまうケースが頻繁に発生します。また、デバイスの欠陥箇所は、ウエーハの
特定箇所であるため、その場所をピンポイントで取り出すには、不良箇所等のアドレスを基にFIB加
工位置を特定する必要がありますが、一旦、ウエーハが割断されてしまうとその位置出しは極めて困難
であり、FIBを用いた効率的な試料作製手法が望まれています。

  今回開発した「マイクロサンプリング装置」は、ウエーハ等の表面から観察部所を含む部分をイオン
ビームで5μm×20μm、深さ15μmという微小領域にして切出すとともに、金属針をマイクロマニュピュ
レータとして微小移動させ、ピンセットのように使い、その微小領域を直接摘出することを可能としま
した。狙った箇所を機械的な力を加えずに、FIB加工が可能な数十ミクロンサイズにするマイクロサ
ンプリング法を実現したことにより、不良箇所や分析箇所を位置データを基にTEM試料を正確に作製
できるだけでなく、機械加工で破壊してしまうような化合物半導体やGMR等のTEM試料も容易に作
製できるようになりました。

<観察領域を取り出す手法>
(1)金属針を観察領域の表面に接触させた後、導電性元素を成分に含む化合物生成ガスを射出しな
   がら、イオンビームとの化学反応で導電性膜を微小領域に堆積させ、金属針と微小領域を接着
   する。
(2)その金属針を移動させ、TEM試料を載せるメッシュに同様な手法により固定し、金属針を切
   り離す。
(3)FIB加工により、TEM観察用の試料前処理を行なう。

<価格および出荷時期>
製 品 名標準価格出 荷 時 期
マイクロサンプリング装置2千万円平成11年6月(予定)


                                               以  上


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