日立製作所は、このたび、ワークステーション(WS)やサーバー等のメインメモリ向けとして、256Mビ
ットシンクロナスDRAM(SDRAM)「HM5225165ATTシリーズ(×16ビット構成)」、「HM5225805ATTシリー
ズ(×8ビット構成)」、「HM5225405ATTシリーズ(×4ビット構成)」を製品化し、平成10年8月からサンプ
ル出荷を開始します。本製品は、64MビットSDRAMと同一外形の400ミルパッケージを使用するととも
に、当社64Mビット品を4個使用した場合と比較し、消費電力を1/3以下に低減しています。
  また、本SDRAMを搭載し、100MHzメモリバスに対応したモジュールとして、512MバイトSDRAMモジ
ュール「HB52E649E1シリーズ(×72ビット構成、レジスタ付き)」と、業界最大容量の1Gバイトを実現し
たSDRAMモジュール「HB52R1289E2シリーズ(×72ビット構成、レジスタ付き)」を製品化しました。512
Mバイト品は平成10年9月から、1Gバイト品は平成10年11月からサンプル出荷を開始します。

　近年、ワークステーションやサーバなどの情報機器の高性能化に伴い、搭載されるメモリの大容量
化が進んでいます。しかし、64MビットSDRAMでモジュールを構成した場合、512Mバイト以上の大容
量モジュールを従来品と同一外形で構成することは事実上不可能でした。このため、当社では現在の
4倍の記憶容量である256MビットSDRAMを製品化しました。

  「HM5225165ATTシリーズ」、「HM5225805ATTシリーズ」、「HM5225405ATTシリーズ」は、0.2μm 
CMOSプロセスの採用により、64MビットSDRAMと同一外形の54ピン、400ミルTSOP-ＩＩパッケージで
の製品化を実現しました。また、動作電流(Icc4)を当社64MビットSDRAM4個分の360mA(×4ビット構
成品)から110mA(×16ビット構成品)と1/3以下に削減し、機器が消費する同一記憶容量当たりの消
費電力を大幅に少なくすることが可能です。
  「HM5225165ATTシリーズ」は4Mワード×16ビット×4バンク構成、「HM5225805ATTシリーズ」は8M
ワード×8ビット×4バンク構成、「HM5225405ATTシリーズ」は16Mワード×4ビット×4バンク構成です。

　また、本SDRAMを使用し、100MHzメモリバスに対応した168ピンDIMM(Dual In-line Memory Module)
として、512Mバイトの「HB52E649E1シリーズ」、1Gバイトの「HB52R1289E2シリーズ」を製品化しました。
1Gバイト品は、超薄型パッケージTCP(Tape Carrier Package)を水平に2段に積み重ねる当社の積層
実装技術により、業界最大容量を実現しています。
512Mバイトの「HB52E649E1シリーズ」は、WS/サーバー等に適したECC(注)対応の64Mワード×72ビッ
ト×1バンク構成で、プリント回路基板に×4ビット構成のSDRAM「HM5225405ATT」を18個実装してい
ます。また、1Gバイトの「HB52R1289E2シリーズ」は、ECC対応の64Mワード×72ビット×2バンク構成で、
プリント回路基板に×4ビット構成のSDRAM「HM5225405ATB(TCP)」を36個実装しています。

(注)ECC(Error Checking and Correction)：メモリ内のデータエラー発生の有無をチェックすると同時に
     エラーを補正する機能。

＜応用製品＞
ワークステーションやサーバーのメインメモリなど

＜価　格＞
1)256ＭビットシンクロナスDRAM

2)シンクロナスDRAMモジュール

                                                                         以  上