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News Release

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平成9年10月2日

0.25umASICとして、高集積セルベースIC「HG74Cシリーズ」を製品化

−当社従来比2倍の1,000万ゲート規模の高集積と、約30%の低消費電力を実現−

 日立製作所は、このたび、0.25umCMOSプロセスのASICとして、
1,000万ゲート規模の高集積を実現したセルベースIC「HG74Cシリーズ」
を製品化し、平成9年12月から受注を開始します。
  本シリーズは、従来の当社0.35umセルベースICと比較し、2倍の高集積
化が可能な上、消費電力も2.5V時に0.04マイクロW/ゲート・MHzと
約30%の低減を実現しています。
 今後は、本技術をベースに、SuperH(TM)(注)マイコンをはじめとしたCPUコア、
およびDRAMやフラッシュメモリコアなどを搭載可能としたシステムASIC製
品を展開する予定です。

 当社のASICは、豊富なセルライブラリ、開発の短期間化、使いやすい設計環
境を基本理念とし、これまでに0.8umCMOSプロセスを採用した「HG71
シリーズ」、0.5umの「HG72シリーズ」、および0.35umの「HG73
シリーズ」を量産中です。
 また、本年3月に32ビットRISCプロセッサ「SH−3(SH7708)」や
16ビットマイコン「H8S」のCPUコアをモジュールに加えたセルベースIC
「HG73Cシリーズ」を、7月には大容量DRAMモジュールと高速のロジック
を混載可能な「HG73Mシリーズ」を製品化し、システムオンチップ化を推進し
てきました。
 そして今回、携帯情報機器やマルチメディア機器を中心とした機器の小型化、高
速化のニーズに対応するため、0.25umASICとして、セルベースIC
「HG74Cシリーズ」を製品化しました。

 本シリーズは、0.25umCMOSプロセス(3層〜5層メタル配線技術)の採
用や、米国VLSIテクノロジー社と当社が開発した論理合成最適化ライブラリと
設計ツールにより、ランダムロジック回路のみで設計した場合、1000万ゲート
規模の回路を1チップに搭載することが可能です。
 論理合成最適化ライブラリ(HDI(High Density Initiative)Library)は、
HDL等の高位言語で設計された論理を、市販の論理合成ツールを用いてゲートレ
ベルに変換する場合などに、最も効率良く高集積に変換できるよう工夫されたライ
ブラリです。約600種類のセルの中から、論理合成ツールが自動的に要求性能に
対して最適なセルを選択することで、面積効率が良いLSIを実現することができ
ます。

 また、高集積化で問題となる消費電力は、電源電圧2.5Vに最適化することで、
0.04マイクロW/ゲート・MHzを実現し、当社従来品と比較して約30%の
低減を図っています。
 さらに、ゲート遅延時間は90ピコ秒で、当社従来品と比較し、約2.2倍の高
速性能となり、200〜300MHzの高速システムLSIが実現できます。

 パッケージは、プラスチックパッケージとして、標準のQFP100〜384ピ
ンに加え、ヒートスプレッダを内蔵した低熱抵抗QFPや、高密度/高速タイプの
BGA(最大352ピン)を、さらにセラミックパッケージとして、ヒートシンク付
きにも対応可能なPGA135〜401ピンをラインアップしています。
 また、より小型/薄型実装が可能なパッケージであるCSP(Chip Scale
Package)の112〜264ピンも揃えていきます。

 さらに、高集積ICを短期間で精度良く設計するため、WS上での一貫設計用に
RAM/ROMメモリコンパイラを準備しており、高精度シミュレーションモデル
を提供します。

 今後は、SuperH(TM)マイコンなどのCPUコア、アナログモジュール、DRAM
やフラッシュメモリなどをサポートするとともに、高速RAM/DAC、超高速タ
イプの入出力バッファ(HSTL、PECL)品、多ピンBGAパッケージ品
(600ピン程度)等を順次製品化する予定です。

(注)SuperH(TM)は、(株)日立製作所の商標です。

<応用例>
 ASICのため、応用分野を限定しません。応用例は以下の通りです。
・マルチメディア機器:ゲーム、高性能画像処理、DVD、セットトップ
  ボックス、楽器
・携帯情報機器:PDA等の携帯情報端末、携帯通信機器、ATM−LAN
・産業機器:ロボット、制御装置

<価 格>
製 品 名   パッケージ    搭載ゲート数    1万ロット時の価格(円/ヶ)
  HG74C      BGA352ピン    300万ゲート           40,000
   


                                                        以  上


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