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平成９年２月４日
次世代の１ギガビットＤＲＡＭを共同開発
−日立、三菱、テキサス・インスツルメンツ社が
１ギガビットＤＲＡＭの要素技術を分担開発−
(株)日立製作所(日立)と三菱電機(株)(三菱)、米国テキサス・インスツルメンツ
社(TI社)は、このたび、１ギガビットＤＲＡＭ(１ＧＤＲＡＭ)を共同開発すること
で基本合意に達しました。
この合意に基づき、今後３社は１ＧＤＲＡＭに必要な要素技術の分担開発を行い
ます。
近年、半導体業界では、製品の高集積化・高速化などの技術革新の進展に伴い、
開発および生産への投資が膨大なものとなり、先端製品の研究・開発・設計を１社
のみで行うことは困難となっています。そこで、研究開発に必要な人材や資金など
のリソースの確保、研究開発コストの節減を図りつつ、かつ世界で最高の技術水準
をもつ１ＧＤＲＡＭの開発・生産を実現するためには、各種資源の相互利用や共同
開発等が必要となってきました。
日立とTI社は、１９８８年以降１６メガビット、６４メガビット、２５６メガビ
ットＤＲＡＭの共同開発を行ってきました。また、日立と三菱は８メガビット、16
メガビット、６４メガビットフラッシュメモリを共同で開発しています。
次世代メモリである１ＧＤＲＡＭに関しては、すでに各社にて基礎研究・開発を
行っていますが、今回の合意により、１ＧＤＲＡＭの主要技術課題を解決するため
に要素技術候補を選定し、これらを各社にて分担開発し、その成果を３社で共有し
ていきます。
今後、３社は今回の分担開発で得られた技術を基にした１ＧＤＲＡＭの共同開発、
製品化の詳細に向け協議を継続していきます。
以 上