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平成８年９月２日３.３V単一電源の
高速８ＭビットＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリを製品化―３.３V単一電源の８Ｍビットフラッシュメモリとして、
業界最高速のランダムアクセスタイム８０ｎｓを実現―日立製作所は、このたび、携帯情報機器用として、3.3V単一電源の8M
ビットフラッシュメモリでは業界最高速の80nsランダムアクセス（読み出
し時間）を実現した、8MビットDINOR型（注1）フラッシュメモリ
「HN29WB800」、「HN29WT800」の２シリーズを製品化し、平成８年
９月からサンプル出荷を開始します。
フラッシュメモリは、電気的にデータの書換えが可能な不揮発性メモリで
す。電源を切ってもデータが消失することがないため、データ保持用のバッ
テリーバックアップが必要なく、機器の低消費電力化や小型化が図れます。
このため、携帯電話やPDA等の携帯情報機器において、プログラム格納用、
電話番号等のデータ保持用途などに大きな需要があります。（添付資料1参照）
そして近年では、3.3Vでの単一電源動作に加え、高速アクセス、小ブロッ
ク単位での書込み・消去が強く求められています。
そこで、このような市場ニーズに対応し、当社では三菱電機株式会社と共同
で、DINOR型セルによる8Mビットフラッシュメモリを開発してきました。
DINOR型のメモリセルはNOR型（注2）の高速性とNAND型（注3）の高
集積性といった双方の長所を兼ね備えており、またメモリセルの書換えにトン
ネル方式（注4）という大電流を必要としない書換え方式を採用したため、高
速アクセスかつ単一電源による低消費電力化が図れます。
そして今回、3.3V単一電源の8Mビットフラッシュメモリでは業界最高速の
ランダムアクセスタイム80nsを実現した8Mビットフラッシュメモリ
「HN29WB800」、「HN29WT800」の２シリーズを製品化しました。
本シリーズは0.5ミクロンCMOSプロセスを採用した1Mワード×8ビッ
ト、または512kワード×16ビットの切り換え構成品です。3.3V単一電源の
ため、従来の12V電源を外付けした場合や5V単一電源品に比べ、機器の低
電圧化が図れます。また、3.3V系CPUに直接接続できるなど、システム設計、
ボード設計を容易とすることが可能です。
アクセスタイムも3.3V単一電源の8Mビットフラッシュメモリでは業界最
高速の80nsランダムアクセスを実現しており、システムの高速化が図れます。
また、格納するデータの種類に合わせ、小ブロック単位での消去が行えるよ
うにブートブロック構成（注5）を採用しています。ブートブロックを下にも
ってくるボトムブート型と上にもってくるトップブート型があり、
「HN29WB800」はボトムブート型、「HN29WT800」はトップブート型とな
っています。（添付資料2参照）
その他、256バイトあるいは128ワード単位での自動ページ書込み、自動ブ
ロック消去等の機能を内蔵しており、より使い勝手の良い仕様としています。
さらに、従来のスタンバイモードとは別に、ディープパワーダウンモードを
備えています。本モードを使用することで、消費電流を1.0マイクロA（typ.）
と少なくすることができ、システムの低消費電力化が図れます。
なお、パッケージは44ピンSOP、および薄型実装が可能な48ピンTSOP
（I）を揃えています。
（注1）DINOR型：三菱電機（株）が開発したフラッシュメモリのメ
モリセル方式。DINORは Divided bit-lineNOR 型の略。
（注2）NOR型：米国インテル社を中心として、ほとんどの企業が採用。
セルがビット線に対して並列に接続されてるところからその名がある。
（注3）NAND型：（株）東芝が提唱。セルがビット線に対して直列に接続
されているところからその名がある。
（注4）トンネル方式：薄い酸化膜に高電界を与えることにより、電子が
酸化膜を通り抜ける現象を利用する方式。
（注5）ブートブロック構成：システム起動プログラム、システムのパラ
メータデータ等を格納するための小容量のブロックを含んだ構成。
＜特 徴＞
1. 80nsの高速ランダムアクセス
3.3V単一電源の8Mビットフラッシュメモリでは業界最高速のランダムア
クセスタイム80nsを実現、システムの高機能化が図れます。
2. 3.3V単一電源
低電圧、低消費電力化が図れ、システム設計、ボード設計を容易にできます。
3. ブートブロック構成
消去単位がブートブロック型になっているため、格納するデータの種類に
合わせた小ブロック単位での消去がおこなえます。
＜応用製品例＞
*携帯電話
*カーナビゲーション*ネットワーク機器
*FA
*PDA
＜価 格＞
製 品 名 ブートブロック機能 サンプル価格（円）
HN29WB800 ボトムブート型 3,000
HN29WT800 トップブート型 3,000
＜仕 様＞
項 目 仕 様
構 成 1M×8ビット、512k×16ビット 切り換え
動作電圧 3.3V±0.3V 単一電源動作
アクセス時間 80ns/100ns/120ns
消費電力 読み出し時---------------------108mW（max.）
書込/消去時--------------------144mW（max.）
スタンバイ---------------------0.72mW（max.）
デープパワーダウン-------------3.3マイクロW（typ.）
内蔵機能 ブートブロック構成の消去単位
自動ページ書込／自動ブロック消去
書込／消去の中断／再開、禁止／許可機能
プロセス 0.5ミクロンCMOSプロセス
パッケージ 48ピンTSOP（I）（12mmx20mm）、44ピンSOP
その他 三菱電機（株）製品（M5M29FB800/M5M29FT800）と完全互換
以 上