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平成８年４月８日
日立製作所はこのたび、半導体事業において、重要基幹材料であるウェハ エピタキシャルウェハーの製造拠点を新設
−ひたちなか市において総額約１２０億円を投資−
ーの生産体制の強化を図るため、茨城県ひたちなか市において総額約１２０
億円の投資を行い、メモリ等のＭＯＳ(*1)系デバイスの主要原材料であるミ
ラーウエハーを、歩留まり改善に効果のあるエピタキシャルウェハー(*2)に加
工する工場の新設を決めました。
シリコンウェハーは先端デバイスに必要不可欠な重要基幹材料であり、半
導体メーカー各社は現在、メモリ等ＭＯＳ系デバイスの主要原材料としてミ
ラーウェハーを使用しています。
しかしながら、現在メモリ等で主流となっている線幅０.５ミクロン以降、よ
り微細化が進むにつれて、ＭＯＳ系デバイスの歩留り、特性改善に効果を発
揮するエピタキシャルウェハーの使用を検討しています。
当社では、従来から、子会社である日立東京エレクトロニクス（株）の山
口県柳井地区、山梨県甲府地区の工場においてシリコンウェハーを生産し、
自社への供給の安定化を図ってきました。しかし、今後微細化が進み、ＭＯＳ
系デバイスに本格的にエピタキシャルウェハーが使用されるようになるとそ
の供給不足が懸念されます。
このような状況に対応し、平成８年から９年にかけて日立東京エレクトロニ
クス（株）が、総額約１２０億円の投資を行い、エピタキシャルウェハーを生
産する新工場建設を決定しました。今回の投資により、本年４月より着工し、
来年度上期より生産を開始、平成１１年には１０万枚/月（８インチ換算）の能
力を持つ計画です。
今後、線幅０.５ミクロンより微細な加工を必要とするＭＯＳメモリ、マイコン、
ＡＳＩＣ等の製品に順次適用し、製品競争力のアップに最大限活用していきます。
(*1)ＭＯＳ：(Metal Oxide Semiconductor)半導体の表面に酸化膜を形成しその
上に金属を つけた半導体。
(*2)エピタキシャルウェハー：ミラーウェハー上にシリコン単結晶膜を気相成長
させたウェハー。現在では バイポーラ製品に使わ
れているが、将 来ＣＭＯＳの０.５ミクロンより微
細な高集積ＬＳＩの歩留り改善に応用さ れる。
＜日立東京エレクトロニクス（株）の概要＞
・設 立 ：昭和３８年５月
・資 本 金 ：４億円
・代 表 者 ：白井 禄人（取締役社長）
・事業内容 ：半導体、半導体製造装置、シリコンウェハーの
製造・販売
・従業員数 ：約２,０００名
・本社所在地 ：東京都青梅市藤橋３−３−２
＜今回の計画＞
・所在地 ：茨城県ひたちなか市の日立工場素形材センタ
敷地内
・投資金額 ：約１２０億円
・生産能力 ：約１０万枚/月（８インチウェハー換算）
・生産開始 ：平成９年度上期（平成１１年フル生産）
・生産品目 ：エピタキシャルウェハー
・従業員 ：量産時約２５０名
・クリーンルーム面積：３,０６０m2
−以 上−