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平成７年７月２４日
低電圧・高速の２５６ｋビットＥＥＰＲＯＭを製品化
−携帯機器のデータメモリに適した２．７Ｖの低電圧動作と
１２０ｎｓの高速アクセスを実現−
日立製作所は、このたび携帯機器のデータメモリ用に、２．７Ｖ動作では
業界最高速のアクセス時間１２０ｎｓを実現した２５６ｋビット低電圧・
高速ＥＥＰＲＯＭ（電気的消去可能な不揮発性メモリ）「ＨＮ５８Ｖ２５６Ａ」
「ＨＮ５８Ｖ２５７Ａ」シリーズ、および４．５Ｖ動作で高速８５ｎｓの
「ＨＮ５８Ｃ２５６Ａ」「ＨＮ５８Ｃ２５７Ａ」シリーズ、計４シリーズを
製品化し、本年９月よりサンプル出荷を開始します。
＜価 格＞
４シリーズのうち、各パッケージ毎に代表として一品種づつを提示します。
製 品 名 サンプル価格 電 源 電 圧 アクセス時間 パッケージ
ＨＮ５８Ｖ２５６ １，２００円 ２．７〜５．５Ｖ １２０ｎｓ ２８ｐｉｎ
ＡＴ−１２ ＴＳＯＰ（１）
ＨＮ５８Ｃ２５６ １，１００円 ４．５〜５．５Ｖ ８５ｎｓ ２８ｐｉｎ
ＡＴ−８５ ＴＳＯＰ（１）
ＨＮ５８Ｖ２５６ １，１００円 ２．７〜５．５Ｖ １２０ｎｓ ２８ｐｉｎ
ＡＦＰ−１２ ＳＯＰ
ＨＮ５８Ｃ２５６ １，０００円 ４．５〜５．５Ｖ ８５ｎｓ ２８ｐｉｎ
ＡＦＰ−８５ ＳＯＰ
ＨＮ５８Ｃ２５６ １，０００円 ４．５〜５．５Ｖ ８５ｎｓ ２８ｐｉｎ
ＡＰ−８５ ＤＩＰ
ＨＮ５８Ｖ２５７ １，２００円 ２．７〜５．５Ｖ １２０ｎｓ ３２ｐｉｎ
ＡＴ−１２ ＴＳＯＰ（１）
ＨＮ５８Ｃ２５７ １，１００円 ４．５〜５．５Ｖ ８５ｎｓ ３２ｐｉｎ
ＡＴ−８５ ＴＳＯＰ（１）
以 上