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2002年6月27日 | ||||
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日立製作所基礎研究所(所長:長我部信行 以下、日立)は、このたび、超電導A/D(アナログ/デジタル)変換器用のフロントエンド回路を試作し、40ギガヘルツ動作の実証に成功しました。超電導フロントエンド回路は、変調器、分配器、超電導インタフェースから構成され、合計2,518個のジョセフソン接合(超電導回路の要素素子)が集積されています。今後、デジタル信号処理回路を組み合わせることによって、次世代無線通信基地局に向けた超電導A/D変換器の実現に道が拓かれます。本研究は、文部科学省の科学技術振興調整費による、「単一磁束量子(注1)を担体とする極限情報処理機能の研究」の一環として行われました。 超電導現象を利用した単一磁束量子回路は、信号を伝達する単一磁束量子の電圧パルスが数ピコ秒(1兆分の1秒)であることから、数十〜百ギガヘルツという高周波帯域で動作するデジタル回路への応用が期待されています。日立では、平成9年度より文部科学省(旧科学技術庁)の科学技術振興調整費による総合研究「単一磁束量子を担体とする極限情報処理機能の研究」に参画し、これまで超電導A/D変換器の開発を進めてきました。
そこで、今回、下記の特徴を持つ超電導A/D変換器のフロントエンド回路を開発しました。
金属ニオブ材料を用いて超電導回路(注2)を試作した結果、(1)直流アナログ信号の、40ギガヘルツの高速サンプリングによる量子化、(2)その出力信号の、分配器回路による8チャネルへの分配、(3)半導体回路で処理できるレベルへの信号増幅が正常に行われていることを確認しました。これらの結果は、40ギガヘルツの超電導A/D変換器フロントエンド回路全体の正常動作が実証されたことを示します。 今後は、後段の半導体デジタル信号処理回路を設計し、超電導A/D変換器の実用化を図ります。また、冷却コストの面でも有利な酸化物高温超電導材料を用いて、100ギガヘルツを超える超高速動作を目指します。さらに、将来的には、第4世代以降の無線通信応用に適用可能な、超電導A/D変換器の実用化を目指します。なお、本研究で用いた超電導チップは、日本電気株式会社(NEC)のニオブ標準プロセスによって作製されました。 【チップ仕様】 【用語の説明】 |
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以 上 |
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