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2002年2月15日
 
業界最高速の16Mビット低消費電力SRAMを製品化
―携帯電話、携帯情報端末、産業用途向けに25nsのアクセスタイムを実現―
16Mビット低消費電力SRAM
左:HM62V16102I 右:HM62V16100I

   日立製作所 半導体グループ(グループ長&CEO 伊藤 達)は、このたび、携帯電話、携帯情報端末や産業用途向けに、業界最高速のアクセスタイム25nsを実現した16Mビット低消費電力SRAM「HM62V16102I」「HM62A16102I」シリーズを製品化しました。また、ラインアップとしてアクセスタイム45nsの「HM62V16100I」「HM62V8200I」シリーズも製品化し、全て2002年2月28日よりサンプル出荷を開始します。
   本シリーズは、高速動作と共に、携帯機器に対応した低電圧、小型サイズも実現しています。

<背景>
   低消費電力SRAMは、携帯電話や携帯情報端末のワークメモリ、電話帳、画像データ格納用やバックアップメモリに使用されており、当社でもシステムの低電圧化に対応した低電圧、低消費電流で小型の4M、8Mビット品を量産中です。しかし、近年の携帯電話の急速な高機能・高性能化に加え、写真等の画像データに対応するため、今後はさらなる大容量化と高速化が必要になってきます。このため、当社では16Mビットで25nsのアクセスタイムを実現した低消費電力SRAMを製品化しました。

<製品について>
   「HM62V16102I」「HM62A16102I」シリーズは最新の0.13μmプロセスの採用により、高速・小型・低消費電力化を実現しています。
1. 業界最高速
  「HM62V16102I」シリーズは2.2V〜3.6V、「HM62A16102I」シリーズは1.65V〜2.2Vと微細化に加え、回路設計を工夫することにより、低電圧化を図りつつ業界最高のアクセスタイム25nsを実現。従来の55ns品に比べ約2倍に高速化しており、写真等画像データ処理の高速化およびIMT-2000で要求される動画像伝送対応にも適しています。
また、新規動作モードとして、読み出し時のページモードを標準仕様としてサポートします。ページサイズは8ワードでアクセスは15nsと高速を実現し、システムの高速化に対応できます。
2. 小型サイズ
  上記2シリーズに加え、アクセスタイム45nsで2.7V〜3.6Vの「HM62V16100I」、「HM62V8200I」シリーズの計4シリーズは16Mビットながらパッケージサイズ8.0mm×9.5mmの小型48ピンCSPを採用しており、搭載機器の小型化が図れます。また、ピン配置は4M、8Mビット品の上位互換を確保しています。
3. 低消費電流
  4シリーズとも動作電流はアクセスタイム70ns時で15mA(max.)、データ保持電流は0.5μA(typ.)/ 5.0μA(max.)と低電流であり、携帯情報機器等の動作時の低消費電流化およびバッテリバックアップ時の長時間データ保持が可能となります。

   この他、「HM62V16102I」と「HM62A16102I」シリーズでは35nsのアクセスタイム品を、「HM62V16100Iシリーズ」では産業用途対応としてTSOPパッケージ(0.5mmピッチの48ピンTSOPタイプI)をラインアップしています。
   ワード構成は「HM62V8200I」シリーズが2Mワード×8ビット、他の3シリーズは1Mワード×16ビットです。

   今後は、本技術を4M、8Mビット品へも展開し、ラインアップ強化を図る予定です。

■応用製品例
・携帯電話
・携帯情報端末
・ハンディーターミナル
・多機能プリンタ
・産業用機器他

■価 格
容 量 製 品 名 サンプル価格(円) 電源電圧 アクセス時間 パッケージ
16Mビット HM62V16102LBPI-2 3,500 2.2〜3.6V 25ns CSP 48
HM62V16102LBPI-3 3,400 35ns
HM62A16102LBPI-2 3,700 1.65〜2.2V 25ns
HM62A16102LBPI-3 3,600 35ns
HM62V16100LBPI-4 3,300 2.7V〜3.6V 45ns
HM62V8200LBPI-4 3,300
HM62V16100LTI-4 3,200 TSOP-I 48

■仕 様
仕様一覧

以 上




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