日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 石橋 正)は、このたび、携帯電話、携帯情報端末
向けに、業界で初めて12Mビットの低消費電力SRAM「HM62V16768MIシリーズ」を製品化し、平成12
年11月からサンプル出荷を開始します。高密度実装に対応すると共に、2.2V(min.)動作でアクセス
時間70nsと、低電圧、高速アクセスを実現しています。
  また、今回同時に8Mビット低消費電力SRAMを製品化、2.2V(min.)動作でアクセス時間55/70nsの
「HM62V16512MIシリーズ」を平成12年9月から、1.65V(min.)動作でアクセス時間70nsの
「HM62A16512MIシリーズ」を同年12月からサンプル出荷を開始します。
  本3シリーズは、世界最小クラスのパッケージサイズ6.5mm×9.8mmの48ピンCSP
(Chip Scale Package)を採用しており、携帯機器等のさらなる小型・軽量化が図れます。

  近年の急速な携帯電話の高機能化により、そのワークメモリ、電話帳、画像データ格納用に使用
されているSRAMには、システムの低電圧化に対応した低電圧、低消費電流、高速化の要求と同時に、
従来の4Mビット以上の大容量化、高密度実装のニーズが増大しています。
  当社では、これらの要求に応えるため、携帯電話、携帯情報端末向けに12Mビット/8Mビット低消
費電力SRAMを製品化しました。

  12Mビット低消費電力SRAMは、チップ積層技術により、4Mビットと8Mビットの低消費電力SRAMチ
ップを積み重ね、48ピンCSPパッケージに搭載しています。パッケージサイズは6.5mm×9.8mmと、
当社8Mビット品と同面積で実装できるため、大容量メモリを必要とする携帯情報機器の小型化が実
現可能です。また、ピン配置は4Mビットと8Mビットの上位互換性を確保すると同時に、4Mビットと
8Mビットを独立に制御でき、多様な使い方に対応可能です。
  構成は768kワード×16ビット、アクセス時間は2.2V(min.)動作で70nsであり、低電圧、高速アク
セスを実現しています。

  8Mビット低消費電力SRAMは、512kワード×16ビット構成で、0.18μｍ CMOSプロセスの採用と、
回路設計を工夫することにより、2.2V〜3.3Vで55/70ns(「HM62V16512MIシリーズ」)、1.65V〜
2.2Vで70ns(「HM62A16512MIシリーズ」)と低電圧化を図りつつ、高速動作を実現しています。ま
た、動作電流が70ns時で25mA(max.)、データ保持電流が0.6μA(typ.)/6.0μA(max.)と低電流な
ため、携帯情報機器等のバッテリバックアップ時の長時間データ保持が可能となります。
  パッケージは8MビットSRAMでは世界最小クラスの6.5mm×9.8mmの48ピンCSPを採用しており、
システム機器の小型・軽量化が図れます。

  今後もさらに低消費電力SRAMの大容量化を図っていく予定です。

■応用製品例
・携帯電話
・携帯情報端末

                                                                               
                                                                          以 上

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